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書誌情報:Annealing and diffusion characteristics of boron through-oxide implanted silicon
by Der-Tsyr Fan.
: , 1991.
xii, 162 leaves : ill, charts ; 29 cm.


  


所蔵一覧
巻号予約人数所在請求記号資料ID状態貸出区分備考 
1 0中央５階洋
  • 549.8
  • F 14
  •  
00513752 利用可
一般 

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書誌詳細
刊年1991
形態xii, 162 leaves : ill, charts ; 29 cm.
注記Includes vita.
Thesis (Ph. D.)--Lehigh University, 1991.
Includes bibliographies.
Photocopy. Ann Arbor, MI : UMI, 1992. 22 cm.
出版国[出版地不明]，又は[s.l.]
標題言語英語
本文言語英語
著者情報Fan, Der-Tsyr, 1959-
件名FREE:Academicdissertations -- Materialsscienceandengineering.
LCSH:Semiconductors -- Defects.
LCSH:Boron.
LCSH:Integratedcircuits -- Verylargescaleintegration.

   
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