国士舘大学
図書館・情報メディアセンター
ログイン
ヘルプ
×終了
検索
ブックマーク
マイライブラリ
検索条件入力
>
書誌詳細
> Annealing and diffusion characteristics of boron through-oxide implanted silicon
書誌情報:Annealing and diffusion characteristics of boron through-oxide implanted silicon
by Der-Tsyr Fan.
: , 1991.
xii, 162 leaves : ill, charts ; 29 cm.
所蔵一覧
巻号
予約人数
所在
請求記号
資料ID
状態
貸出区分
備考
1
0
中央5階洋
549.8
F 14
00513752
利用可
一般
選択行を:
書誌詳細
刊年
1991
形態
xii, 162 leaves : ill, charts ; 29 cm.
注記
Includes vita.
Thesis (Ph. D.)--Lehigh University, 1991.
Includes bibliographies.
Photocopy. Ann Arbor, MI : UMI, 1992. 22 cm.
出版国
[出版地不明],又は[s.l.]
標題言語
英語
本文言語
英語
著者情報
Fan, Der-Tsyr, 1959-
件名
FREE:Academicdissertations -- Materialsscienceandengineering.
LCSH:Semiconductors -- Defects.
LCSH:Boron.
LCSH:Integratedcircuits -- Verylargescaleintegration.
▲ページトップへ
動画を再生するにはvideoタグをサポートしたブラウザが必要です。